Ще у 1930-х рр. у Києві склався великий науковий центр в галузі катодної електроніки й почала формуватися наукова школа. Безумовно, цьому сприяла сама особистість Н.Д. Моргуліса —
людини високої наукової репутації, ерудиції, яка володіла педагогічним хистом. Київську школу фізичної електроніки представляють академіки НАН України А.Г. Наумовець і
Н.Г. Находкін, члени-кореспонденти НАН України П.Г. Борзяк і Ю.Г. Птушинський та ін.
У 1930-і рр. Н.Д. Моргуліс досяг значних успіхів у дослідженні поверхонь іонізації та нейтралізації, зокрема в 1934 р. незалежно від
А.І. Ансельма й Р. Гьорні розробив одну з перших квантово-механічних теорій поверхневої іонізації, побудував іонний проектор — перший попередник автоіонного мікроскопа. Ним розпочаті дослідження фізичних процесів в ефективних катодах різних типів, розвинено правильні уявлення про емітери як об’єкти з напівпровідниковими властивостями. Було розроблено так звану методику клина, що дістала розвиток у дослідженнях фото- і вторинної електронної емісії.
На початку 1950-х рр. Н.Д. Моргуліс сформулював концепцію впливу особливостей зонної структури напівпровідників на емісійні ефекти. Вона стимулювала розвиток досліджень емісійних явищ у напівпровідниках. У 1947 р.
Н.Д. Моргуліс вибудував теорію автоелектронної емісії з напівпровідників.
Широкого визнання одержали роботи учнів та послідовників Н.Д. Моргуліса з вивчення адсорбційних явищ на металах. Проведено в практику досліджень надвисоковакуумної техніки створило передумови для вивчення поверхонь у чистих умовах. Виконано значний цикл досліджень атомної структури субмоношарових адсорбованих плівок, що сприяло становленню кристалографії поверхонь. З початку 1960-х рр. у Київському університеті велися роботи з вивчення структури моноатомних плівок на кристалах.
Одним із важливих напрямків було всебічне дослідження фізичних процесів, які відбуваються в короткому діоді з термоемісійним катодом у присутності пари цезію. Доведено, що такий діод може бути перетворений на ефективний генератор електроенергії. У результаті було відкрито новий принцип перетворення теплової енергії в електричну. Ці дослідження започаткували новий перспективний напрямок в енергетиці — термоемісійний метод перетворення енергії.
Ще у 1930-х рр. у Києві склався великий науковий центр в галузі катодної електроніки й почала формуватися наукова школа. Безумовно, цьому сприяла сама особистість Н.Д. Моргуліса —
людини високої наукової репутації, ерудиції, яка володіла педагогічним хистом. Київську школу фізичної електроніки представляють академіки НАН України А.Г. Наумовець і
Н.Г. Находкін, члени-кореспонденти НАН України П.Г. Борзяк і Ю.Г. Птушинський та ін.
У 1930-і рр. Н.Д. Моргуліс досяг значних успіхів у дослідженні поверхонь іонізації та нейтралізації, зокрема в 1934 р. незалежно від
А.І. Ансельма й Р. Гьорні розробив одну з перших квантово-механічних теорій поверхневої іонізації, побудував іонний проектор — перший попередник автоіонного мікроскопа. Ним розпочаті дослідження фізичних процесів в ефективних катодах різних типів, розвинено правильні уявлення про емітери як об’єкти з напівпровідниковими властивостями. Було розроблено так звану методику клина, що дістала розвиток у дослідженнях фото- і вторинної електронної емісії.
На початку 1950-х рр. Н.Д. Моргуліс сформулював концепцію впливу особливостей зонної структури напівпровідників на емісійні ефекти. Вона стимулювала розвиток досліджень емісійних явищ у напівпровідниках. У 1947 р.
Н.Д. Моргуліс вибудував теорію автоелектронної емісії з напівпровідників.
Широкого визнання одержали роботи учнів та послідовників Н.Д. Моргуліса з вивчення адсорбційних явищ на металах. Проведено в практику досліджень надвисоковакуумної техніки створило передумови для вивчення поверхонь у чистих умовах. Виконано значний цикл досліджень атомної структури субмоношарових адсорбованих плівок, що сприяло становленню кристалографії поверхонь. З початку 1960-х рр. у Київському університеті велися роботи з вивчення структури моноатомних плівок на кристалах.
Одним із важливих напрямків було всебічне дослідження фізичних процесів, які відбуваються в короткому діоді з термоемісійним катодом у присутності пари цезію. Доведено, що такий діод може бути перетворений на ефективний генератор електроенергії. У результаті було відкрито новий принцип перетворення теплової енергії в електричну. Ці дослідження започаткували новий перспективний напрямок в енергетиці — термоемісійний метод перетворення енергії.