![]() |
|
Калабухова Катерина Миколаївна провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України Доктор фізико-математичних наук. Народилася Катерина Миколаївна 20 листопада 1947 року в древньому місті Тбілісі (Грузія). Вищу освіту здобула за спеціальністю «Інженер електронної техніки» в НТУУ «КПІ». Наукову діяльність присвятила дослідженню фізичних властивостей широкозонних напівпровідників, а саме політипів карбіду кремнію, що стало продовженням справи її батька, доктора фізико-математичних наук, професора М.П. Калабухова, який протягом 17 років (1956–1973 рр.) очолював кафедру загальної фізики у НТУУ «КПІ», та в 1957 році ініціював створення проблемної лабораторії широкозонних напівпровідників, основною діяльністю якої було створення та дослідження опорних світловипромінювальних діодів на основі кубічного карбіду кремнію. Сьогодні К.М. Калабухова є відомим у світі фахівцем у галузі дослідження напівпровідникових матеріалів методами магнітного резонансу (МР). Її роботи внесли вагомий внесок у розвиток радіоспектроскопії широкозонних напівпровідників, а деякі з них стали класичними, а саме: |
роботи, присвячені встановленню електронної структури та фізичних властивостей донорних домішок у політипах карбіду кремнію, а також роботи, пов’язані з вивченням процесів формування власних дефектів у напівізолюючому карбіді кремнію.
Катерина Миколаївна є автором понад 88 наукових праць, серед них 3 монографії та 3 деклараційні патенти.
|