|
|
Калабухова Катерина Миколаївна провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України Доктор фізико-математичних наук. Народилася Катерина Миколаївна 20 листопада 1947 року в древньому місті Тбілісі (Грузія). Вищу освіту здобула за спеціальністю «Інженер електронної техніки» в НТУУ «КПІ». Наукову діяльність присвятила дослідженню фізичних властивостей широкозонних напівпровідників, а саме політипів карбіду кремнію, що стало продовженням справи її батька, доктора фізико-математичних наук, професора М.П. Калабухова, який протягом 17 років (1956–1973 рр.) очолював кафедру загальної фізики у НТУУ «КПІ», та в 1957 році ініціював створення проблемної лабораторії широкозонних напівпровідників, основною діяльністю якої було створення та дослідження опорних світловипромінювальних діодів на основі кубічного карбіду кремнію. Сьогодні К.М. Калабухова є відомим у світі фахівцем у галузі дослідження напівпровідникових матеріалів методами магнітного резонансу (МР). Її роботи внесли вагомий внесок у розвиток радіоспектроскопії широкозонних напівпровідників, а деякі з них стали класичними, а саме: |
роботи, присвячені встановленню електронної структури та фізичних властивостей донорних домішок у політипах карбіду кремнію, а також роботи, пов’язані з вивченням процесів формування власних дефектів у напівізолюючому карбіді кремнію.
Катерина Миколаївна є автором понад 88 наукових праць, серед них 3 монографії та 3 деклараційні патенти.
|
К.М. Калабухова вперше у світі запропонувала застосовувати високочастотні методи МР до дослідження напівпровідникових матеріалів та продемонструвала їх унікальні можливості при дослідженні карбіду кремнію. Під її керівництвом виконано 15 міжнародних проектів у співробітництві з лабораторіями радіоспектроскопії Німеччини та матеріалознавства Військово-Повітряних Сил США. Науковець неодноразово запрошувалась з доповідями у США за програмою «Вікно у Науку». Її дослідницька діяльність також тісно пов’язана з російськими вченими, зокрема з Фізико-технічного Інституту ім. Іоффе. У той же час вона співпрацює з багатьма лабораторіями інституту, є науковим керівником національних проектів, а також докладає зусилля на виховання молодих вчених.
Вихованецею Катерини Миколаївни та її послідовницею є донька - кандидат фізико-математичних наук, науковий співробітник ІФН ім. В.Є. Лашкарьова НАН України – Савченко Дарія Вікторівна, яка продовжує сімейні традиції у дослідженні монокристалічних, аморфних та нанорозмірних напівпровідникових матеріалів імпульсними методами МР, зокрема політипів карбіду кремнію.
«Успіх ніколи не прийде, якщо гроші є Вашою єдиною метою», – вважає науковець. Переконуватися у істинності цього виразу легко, адже лише захопленість та небайдужість до справи, яку твориш дають 100% результат.