Талант В.Є. Лашкарьова в поєднанні з його широкою науковою ерудицією дозволили йому досить швидко опанувати нову галузь фізики напівпровідників та одержати важливі результати. Вже в 1940 р. офіційно було відзначено високий науковий рівень робіт з напівпровідників його лабораторії, а в 1939—1944 рр. роботи відділу напівпровідників стали провідними в країні. Для всіх робіт В.Є. Лашкарьова — блискучого фізика-експериментатора — характерний також високий теоретичний рівень.
Серія післявоєнних робіт В.Є. Лашкарьова та його учнів по суті заклала основи вчення про фотоелектрорушійні сили в напівпровідниках. Виконані з вивчення фотоелектричних явищ у напівпровідниках, дослідження механізму виникнення й закономірностей фотоЕРС, лінійної й нелінійної фотопровідності, поверхневих, електрофізичних та інших властивостей напівпровідників були істотним внеском у формування сучасних уявлень про фізику електронних процесів у напівпровідниках і механізми дії напівпровідникових приладів.
У 1948 р. В.Є. Лашкарьовим і В.І. Ляшенком розпочато піонерні дослідження поверхневих явищ у напівпровідниках. Ці роботи створили основу для наступних широких досліджень поверхневих явищ, виконаних В.І. Ляшенком, О.В. Снітком та їх співробітниками. Здійснено численні роботи з каталізу хімічних реакцій на поверхні напівпровідників, проведені кількісні дослідження електрофізичних властивостей поверхонь германію й кремнію, визначені параметри поверхневих рівнів. У результаті в післявоєнні роки почала формуватися наукова школа В.Є. Лашкарьова. Цьому сприяли його талант, широка ерудиція, здатність перетворювати досягнення науки в практичні результати, вміння об’єднати великі групи співробітників та учнів, виховувати й спрямовувати їх діяльність.
Школу В.Є. Лашкарьова представляють академік НАН України О.В. Снітко, член-кореспонденти НАН України В.Г. Литовченко й М.К. Шейнкман та ін. Деякою мірою вважає себе учнем В.Є. Лашкарьова член-кореспондент АН України К.Б. Толпиго, який виконав чимало робіт під його керівництвом і перейняв багато його ідей.
Талант В.Є. Лашкарьова в поєднанні з його широкою науковою ерудицією дозволили йому досить швидко опанувати нову галузь фізики напівпровідників та одержати важливі результати. Вже в 1940 р. офіційно було відзначено високий науковий рівень робіт з напівпровідників його лабораторії, а в 1939—1944 рр. роботи відділу напівпровідників стали провідними в країні. Для всіх робіт В.Є. Лашкарьова — блискучого фізика-експериментатора — характерний також високий теоретичний рівень.
Серія післявоєнних робіт В.Є. Лашкарьова та його учнів по суті заклала основи вчення про фотоелектрорушійні сили в напівпровідниках. Виконані з вивчення фотоелектричних явищ у напівпровідниках, дослідження механізму виникнення й закономірностей фотоЕРС, лінійної й нелінійної фотопровідності, поверхневих, електрофізичних та інших властивостей напівпровідників були істотним внеском у формування сучасних уявлень про фізику електронних процесів у напівпровідниках і механізми дії напівпровідникових приладів.
У 1948 р. В.Є. Лашкарьовим і В.І. Ляшенком розпочато піонерні дослідження поверхневих явищ у напівпровідниках. Ці роботи створили основу для наступних широких досліджень поверхневих явищ, виконаних В.І. Ляшенком, О.В. Снітком та їх співробітниками. Здійснено численні роботи з каталізу хімічних реакцій на поверхні напівпровідників, проведені кількісні дослідження електрофізичних властивостей поверхонь германію й кремнію, визначені параметри поверхневих рівнів. У результаті в післявоєнні роки почала формуватися наукова школа В.Є. Лашкарьова. Цьому сприяли його талант, широка ерудиція, здатність перетворювати досягнення науки в практичні результати, вміння об’єднати великі групи співробітників та учнів, виховувати й спрямовувати їх діяльність.
Школу В.Є. Лашкарьова представляють академік НАН України О.В. Снітко, член-кореспонденти НАН України В.Г. Литовченко й М.К. Шейнкман та ін. Деякою мірою вважає себе учнем В.Є. Лашкарьова член-кореспондент АН України К.Б. Толпиго, який виконав чимало робіт під його керівництвом і перейняв багато його ідей.