СТВОРЮЄМО ЦІННІСТЬ

Рогачова
Олена Іванівна

Професор кафедри теоретичної та експериментальної фізики Національного технічного університету «Харківський політехнічний інститут»

Доктор фізіко-математичних наук, професор, академік Міжнародної термоелектричної академії.
Олена Іванівна Рогачова — міжнародно визнаний вчений в галузі фізики твердого тіла та напівпровідникового матеріалознавства. Народилася 21 жовтня 1937 р. у Харкові. Закінчила з медаллю школу та з відзнакою інженерно-фізичний факультет Харківського політехнічного інституту за спеціальністю «Фізика металів». З 1960 р. працювала у НДІ основної хімії, а з 1967 р. дотепер — у Національному технічному університеті «Харківський політехнічний інститут». Пройшла шлях від асистента до професора кафедри теоретичної та експериментальної фізики (з 1992). Основні напрями досліджень: фізика напівпровідникових фаз змінного складу, розмірні ефекти у наноструктурах, термоелектричне (ТЕ) матеріалознавство. Під керівництвом Олени Іванівни проведено дослідження кристалічної структури і фізичних властивостей багатьох напівпровідникових твердих розчинів в залежності від складу і температури, механізмів дефектоутворення, побудовано діаграми стану, визначено склади розчинів з максимальними значеннями ТЕ ефективності.

Вперше в твердих розчинах спостережено концентраційні аномалії властивостей в області малого вмісту домішки і висловлено припущення про універсальний характер цього явища. Створено фізичні основи легування нестехіометричних фаз, розроблено метод «контрольованих атомних дефектів», виявлено специфіку сильно нестехіометричних фаз, пов’язану з процесами самоорганізації дефектів, і запропоновано принципово новий підхід до опису їх зонної структури. З кінця 1990-х рр. у науковій школі проф. О.І. Рогачової стали інтенсивно вивчатися тонкоплівкові наноструктури з метою розробки методів підвищення ТЕ ефективності матеріалів шляхом використання квантових розмірних ефектів, а в останні роки — найновіші об’єкти фізики твердого тіла — топологічні ізолятори, — ?і вже виявлені нові фізичні явища. Професор О.І. Рогачова — ?керівник лабораторії з фізики напівпровідників і термоелектрики. Підготувала 11 кандидатів наук. Автор, співавтор 2 монографій, понад 270 наукових статей, чимало з яких опубліковані у відомих міжнародних журналах. Нею зроблено близько 300 доповідей на конференціях, включаючи конференції в Японії, Австралії, Бразилії, США, Південній Кореї, Китаї та багатьох європейських країнах. Під керівництвом Олени Іванівни виконано 10 госпдоговірних, 12 держбюджетних тем, одержано 3 гранти Державного фонду фундаментальних досліджень України спільно з Національним Науковим Фондом США та 5 грантів за міжнародними проектами. Спільно з вченими Массачусетського технологічного інституту розробляються фізичні основи створення наноматеріалів для ТЕ перетворювачів енергії. Входить до спеціалізованої вченої ради із захисту дисертацій за спеціальністю «Фізика напівпровідників та діелектриків», секції з напівпровідникового матеріалознавства Наукової Ради НАН України, редколегії журналу Journal of Thermoelectricity. Серед здобутків — орден княгині Ольги III ступеня, медаль «За наукові дослідження» МОН України, премія Міжнародної науково-освітньої програми, премія «Інтелект Харкова» ім. Л.С. Палатніка в галузі фізики, почесні грамоти Міжнародної ТЕ академії за видатні досягнення в галузі ТЕ матеріалознавства, обласна стипендія в галузі фізики та астрономії ім. К.Д. Синельникова. За значний внесок у розвиток міжнародного співробітництва між Україною та США відзначена пам’ятною медаллю Фонду CRDF та почесною грамотою МОН України.